常用技术指标(存储器的常用技术指标)

一、内存的分类

1,、只读存储器ROM

顾名思义，只读存储器中的数据只能被读出而不能被用户修改或者删除，因此一般用于存放固定程序。

2、随机存储器RAM

随机存储器就是常说的计算机内存，因其产品呈条状，故一般称为内存条，随机存储器又分为静态随机存储器和动态随机存储器两种。

（1）SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。

（2）DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。

从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。

（3）RDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要缴纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格让普通用户无法接受。而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。

普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。另外其可把数据集中起来以分组的形式传送，所以只要最初用24个时钟，以后便可每1时钟读出1个字节。一次访问所能读出的数据长度可以达到256字节。

3、高速缓冲存储器（Cache Memory）

高速缓冲存储器为SRAM，它是为了增加内存的存取效能、提高CPU处理数据的效率而产生的。由于RAM的速度赶不上CPU的速度，为了解决这一冲突，利用Cache作为介质，先将有关程序的内容放入Cache中，CPU可以直接从Cache中读取数据，从而达到提高CPU的工作速度的目的。处理器的内部都包括高速缓冲存储器，一些主板也带有高速缓冲存储器。

二、内存的技术指标

1.速度

内存条的速度一般用存取一次数据的时间(单位一般用ns)来作为性能指标，时间越短，速度就越快。普通内存速度只能达到70ns～80ns，EDO内存速度可达到60ns，而SDRAM内存速度则已达到7ns。

注意：内存条的生产厂家非常多，目前还没有形成一个统一的标注规范，所以内存的性能指标不可简单地从内存芯片标注上读出来，但可了解其速度如何，如－70或－60等数字，就表示此内存芯片的速度为70ns或60ns。

2.容量

内存条容量大小有多种规格，早期的30线内存条有256K、1M、4M、8M多种容量，72线的EDO内存则多为4M、8M、16M，而168线的SDRAM内存大多为16M、32M、64M、128MB容量，甚至更高。图5-1是一款独特的64MB内存条。

3.奇偶校验

为检验存取数据是否准确无误，内存条中每8位容量能配备1位做为奇偶校验位，并配合主板的奇偶校验电路对存取的数据进行正确校验。不过，而在实际使用中有无奇偶校验位，对系统性能并没有什么影响，所以目前大多数内存条上已不再加装校验芯片。

注：计算机是以二进制进行计数的，表现为0和1，当机器向内存写入数据时，实际上就是存入代码01，奇偶校验则将单元中存入的代码的个数进行奇偶统计，并将统计的结果保存在奇偶校验位中，当计算机提取内存的数据时，奇偶校验则将统计的结果和实际读出的数据进行比较看是否一致，从而确保了内存数据的正确性。

4.内存的电压

FPM内存和EDO内存均使用5V电压，而SDRAM则使用3.3V电压，在使用中注意主板上的跳线不能设错。

5.内存主频

内存主频代表着该内存所能达到的最高工作效率。内存主频是以MHz（兆赫兹）为单位来计量的。内存主频越高，在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。

6.存取时间TAC（Access Time CLK）

TAC仅仅代表访问数据所需要的时间。存取时间用-6、-5标识（-6表示60ns,-5表示50ns）.

7.CL（CAS Latency）

CL(CAS Latency)为CAS(Column Address Strobe,列地址控制器）的延迟时间。它是内存性能的一个重要指标，它是内存纵向地址脉冲的反应时间。

8.SPD芯片

SPD(Serial Presence Detect,串行存在探测）是一个EEPROM芯片，里面保存了该内存条的相关资料，如容量、芯片的厂商、工作速度、是否具备ECC校验等参数。在开机时由主板BIOS程序从SPD芯片中的资料并以此设定内存的工作参数，使之以最佳状态工作，更好地确保系统稳定的工作。